HGTD3N60C3S9A

Fairchild Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL IGBT

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge10.8 nC
Тип входаStandard
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Switching Energy85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition480V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 3A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max33 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252, (D-Pak)

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)