HGTD3N60A4S

Fairchild Semiconductor

HGTD3N60A4S

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge32 nC
Тип входаStandard
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Td (on/off) @ 25°C6ns/73ns
Test Condition390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max70 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252-3 (DPAK)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)