HGT1S12N60C3DS

Fairchild Semiconductor

HGT1S12N60C3DS

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge71 nC
Тип входаStandard
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)96 A
Power - Max104 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AB

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)