Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | QFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 250 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 50W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|