FQA8N90C

Name: FQA8N90C
Brand: Fairchild Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 900V 8A TO3P

УстаревшийTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2080 pF @ 25 V
Производитель	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка	Tube
Статус позиции	Устаревший
Серия	QFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	240W (Tc)

Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителя	TO-3P

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)