Общие
| Конфигурация | 3 Independent |
|---|---|
| IGBT Type | Field Stop |
| Input | Standard |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| NTC Thermistor | Yes |
| Product Status | Active |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 40A |
FPF2G120BF07AS
Аналоговые и силовые компоненты
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Power - Max | 156 W |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | F2 |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|