Общие
| Gate Charge | 60 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/52ns |
| Test Condition | 200V, 20A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 70A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 60 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/52ns |
| Test Condition | 200V, 20A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 70A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 330 V |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Power - Max | 30.5 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-220F-3 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|