Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 120 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Field Stop |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Switching Energy | 1.13mJ (on), 310µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 290 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус производителя | I2PAK (TO-262) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|