INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 36 nC |
|---|---|
| IGBT Type | NPT |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q101 |
| Switching Energy | 1.16mJ (on), 270µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/35ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 267 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|