FGB7N60UNDF

Fairchild Semiconductor

FGB7N60UNDF

Аналоговые и силовые компоненты

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge18 nC
IGBT TypeNPT
Тип входаStandard
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)32.3 ns
Switching Energy99µJ (on), 104µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C5.9ns/32.3ns
Test Condition400V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 7A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)21 A
Power - Max83 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)