Общие
| Gate Charge | 125 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 20A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Power - Max | 201 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3PN |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|