FDZ3N513ZT

Fairchild Semiconductor

FDZ3N513ZT

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP

В производстве4-XFBGA, WLCSPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs462mOhm @ 300mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds85 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5.5V, -300mV
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
Корпус производителя4-WLCSP (1x1)

Среда

Рабочая температура-55°C~125°C(TJ)