FDU6696

Fairchild Semiconductor

FDU6696

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1715 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta), 52W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Корпус производителяI-PAK

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)