FDU6692

Fairchild Semiconductor

FDU6692

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-251-3 Stub Leads, IPakАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2164 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
Корпус производителяTO-251 (IPAK)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)