FDS6676

Fairchild Semiconductor

FDS6676

Аналоговые и силовые компоненты

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 14.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5103 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)