FDP6676S

Fairchild Semiconductor

FDP6676S

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4853 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность70W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)