FDMS86569-F085

Fairchild Semiconductor

FDMS86569-F085

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 65A POWER56

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 65A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2560 pF @ 30 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tj)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)