FDMC7570S

Fairchild Semiconductor

FDMC7570S

Аналоговые и силовые компоненты

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4410 pF @ 13 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®, SyncFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 59W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPower33

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)