FDM2509NZ

Fairchild Semiconductor

FDM2509NZ

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2

Устаревший6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Базовый Part NumberFDM2509
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A
Power - Max800mW

Механические

КорпусBulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяMicroFET 2x2 Thin

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)