FDD6780A

Fairchild Semiconductor

FDD6780A

Аналоговые и силовые компоненты

16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 16.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1235 pF @ 13 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16.4A (Ta), 30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.7W (Ta), 32.6W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяD-PAK (TO-252)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)