FDB8896-F085

Fairchild Semiconductor

FDB8896-F085

Аналоговые и силовые компоненты

19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2525 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 93A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность80W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AB

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)