FDB6030BL

Fairchild Semiconductor

FDB6030BL

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 40A R-6

УстаревшийTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 15 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность60W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263 (D2PAK)

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 175°C (TJ)