Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Single |
|---|---|
| Driven Configuration | High-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Тип входа | Inverting |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 1 |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Rise / Fall Time (Typ) | 15ns, 10ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 250mA, 500mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 8V, 12.6V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|---|
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Qualification | AEC-Q100 |