Общие
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 6.5dB @ 60MHz |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 8mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 2.1GHz |
| Gain | 1.5dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус производителя | TO-92-3 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|