Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Время доступа | 18 ns |
| Базовый Part Number | EMD4E001 |
| Производитель | Everspin Technologies Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Время доступа | 18 ns |
| Базовый Part Number | EMD4E001 |
| Производитель | Everspin Technologies Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 1Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 667 MHz |
| Напряжение питания | 1.14V ~ 1.26V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Корпус производителя | 96-BGA (10x13) |
| Рабочая температура | 0°C~85°C(TC) |
|---|