Общие
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | Enhanced Mode GaN FET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | EPC |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 8ns, 4ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 7.1A, 12.5A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 85 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.5V, 2.3V |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 12-UFBGA, WLCSP |
| Корпус производителя | 12-WLCSP-B (1.6x1.6) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|