EPC2111

EPC

EPC2111

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Базовый Part NumberEPC211
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
ПроизводительEPC
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)