EPC2071

EPC

EPC2071

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 30A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3931 pF @ 50 V
ПроизводительEPC
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияeGaN®
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 13mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)