Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 1A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 30 V |
| Производитель | EPC |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | eGaN® |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 800µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|