EPC2015C

Name: EPC2015C
Brand: EPC

Аналоговые и силовые компоненты

GANFET N-CH 40V 53A DIE

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 33A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1180 pF @ 20 V
Производитель	EPC
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	eGaN®
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 9mA

Напряжение сток-исток	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	53A (Ta)

Рабочая температура	-40°C~150°C(TJ)