Общие
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | Standard |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | D-2, Axial |
| Корпус производителя | D2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
|---|