DI4A7P06SQ2

Diotec Semiconductor

DI4A7P06SQ2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
Конфигурация2 P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525pF @ 30V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)
Power - Max3W (Ta)

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101