DI2A8N03PWK2-AQ

Diotec Semiconductor

DI2A8N03PWK2-AQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 1

Устаревший6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 2A, 4.5V
Конфигурация2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds387pF @ 15V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Power - Max1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-QFN (2x2)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101