DI0A4N45SQ2

Diotec Semiconductor

DI0A4N45SQ2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET SO-8 N 450V 4.5OHM 150C

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 400mA, 10V
Конфигурация2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101