DI080N06PQ

Diotec Semiconductor

DI080N06PQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 30 V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность80W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-QFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)