DI048N04PT-AQ

Diotec Semiconductor

DI048N04PT-AQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2268 pF @ 25 V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность31W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101