DI010N03PW

Diotec Semiconductor

DI010N03PW

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0

В производстве8-PowerUDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1120 pF @ 15 V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.4W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerUDFN
Корпус производителя8-QFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)