DI006H03SQ

Diotec Semiconductor

DI006H03SQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET SO8 N+P 30V 0.025OHM 150C

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Конфигурация2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 15V, 631pF @ 15V
ПроизводительDiotec Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 4.2A (Ta)
Power - Max1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101