Общие
| Базовый Part Number | ZXTP2012A |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 400mA, 4A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 120MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | E-Line-3 |
| Корпус производителя | E-Line (TO-92 compatible) |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|