ZXMN6A11ZTA

Diodes Incorporated

ZXMN6A11ZTA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3

В производствеTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 40 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Корпус производителяSOT-89-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)