ZXMN6A09DN8TC

Diodes Incorporated

ZXMN6A09DN8TC

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 8.2A, 10V
Базовый Part NumberZXMN6
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1407pF @ 40V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Power - Max1.25W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)