ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.15W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type B)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)