ZXMN2AMCTA

Diodes Incorporated

ZXMN2AMCTA

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN

В производстве8-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 4A, 4.5V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds299pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Power - Max1.7W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN3020B-8

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101