ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 3.2A, 10V
Базовый Part NumberZXMN10
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 50V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A
Power - Max1.25W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)