ZXMN10A07ZTA

Diodes Incorporated

ZXMN10A07ZTA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3

В производствеTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds138 pF @ 50 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Корпус производителяSOT-89-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)