ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

ZXMHN6A07T8TA

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

УстаревшийSOT-223-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.8A, 10V
Базовый Part NumberZXMHN6A07T8
Конфигурация4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A
Power - Max1.6W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-223-8
Корпус производителяSM8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)