ZXMHC6A07N8TC

Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.8A, 10V
Базовый Part NumberZXMHC6A07
Конфигурация2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V, 141pF @ 50V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.39A, 1.28A
Power - Max870mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)