ZXMHC3A01T8TA

Diodes Incorporated

ZXMHC3A01T8TA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

В производствеSOT-223-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Базовый Part NumberZXMHC3
Конфигурация2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V, 204pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A, 2A
Power - Max1.3W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-223-8
Корпус производителяSM8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)