ZXMHC10A07N8TC

Name: ZXMHC10A07N8TC
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 1.5A, 10V
Базовый Part Number	ZXMHC10A07
Конфигурация	2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	800mA, 680mA
Power - Max	870mW

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя	8-SO

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)