ZXMC6A09DN8TA

Diodes Incorporated

ZXMC6A09DN8TA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 8.2A, 10V
Базовый Part NumberZXMC6A09
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A, 3.7A
Power - Max1.8W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)